intrinsic carrier density
https://metanorma.github.io/isq-smart/quantities/part-12/t12-29.3 urn:iso:std:iso:80000:-12:ed-2:en:item:12-29.3
urn:iso:std:iso:80000:-12:ed-2:en:item:12-29.3urn:iec:std:iec:80000-12:2019:::item:12-29.3n_"i"n_{\text{i}}Definition
grandeur donnée par :
où est la densité électronique (electron density) et est la densité de trous (hole density)
Notes
Subscripts and or and are often used to denote electrons and holes, respectively. and are also used for electron densities, and and for hole densities, in -type and -type regions, respectively, of a - junction.
Les indices et ou et sont souvent utilisés pour désigner respectivement les électrons et les trous. et sont aussi utilisés pour les densités électroniques, et et pour les densités de trous, respectivement dans les régions de type et de type d'une jonction - .
Broader concepts
Characterizes
Ontology
Class Hierarchy
A physical quantity as defined in ISO/IEC 80000, with associated symbols, definitions, and units of measurement.
Instance IRI
isq:t12-29.3Properties
| Property | Value |
|---|---|
| rdf:type | |
| dcterms:identifier | 12-29.3 |
| skosxl:prefLabel | "intrinsic carrier density"@en |
| skosxl:altLabel | "n_"i""@en |
| skos:definition | quantity given by:
[stem%unnumbered]
++++
n_"i" = sqrt(np)
++++
where stem:[n] is electron density (<<t12-29.1>>), and… |
| skos:note | Subscripts stem:["n"] and stem:["p"] or stem:[-] and stem:[+] are often used to denote electrons and holes, respectively… |
| isq:hasUnit | |
| isq:hasDimension | |
| smart:hasBindingnessType | |
| dcterms:isPartOf |